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符合「碳化矽」新聞搜尋結果， 共 23 篇 ，以下為 1 - 23 篇 訂閱此列表，掌握最新動態
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科技新訊
安森美推出碳化矽智慧功率模組  降低能耗與系統成本

安森美 EliteSiC SPM 31 智慧功率模組 (IPM) 能夠實現能效和性能都領先行業的更緊湊的變頻電機驅動台北訊 -  2025年3 月 18日--安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基於1200V碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的SPM 31智慧功率模組（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7） IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進了散熱性能、降低了功耗，支援快速開關速度，非常適用於三相變頻驅動應用，如AI資料中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服電機、機器人、變頻驅動器（VFD）以及工業泵和風機等應用中的電子換向（EC）風機。EliteSiC SPM 31 IPM 作為對安森美 IGBT SPM 31 IPM 產品組合（涵蓋 15A 至 35A 的低電流）的補充，提供從 40A 到 70A 的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供廣泛的可擴展、靈活的整合式功率模組解決方案，陣容領先業界。隨著電氣化和人工智慧應用的增加，尤其是更多AI資料中心的建設提升了能源需求，降低該領域應用的能耗變得愈發重要。在這一向低碳排放世界轉型的過程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發揮著關鍵作用。隨著資料中心的數量和規模不斷成長，預計對 EC 風機的需求也將隨之增加。這些冷卻風機可為資料中心的所有設備維持理想的運行環境，對於準確、無誤的資料傳輸至關重要。 SiC IPM 可確保 EC 風機以更高能效可靠運行。與壓縮機驅動和泵等許多其他工業應用一樣，EC 風機需要比現有較大的 IGBT 解決方案具有更高的功率密度和能效。透過改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客戶將受益於更小的尺寸、更高的性能以及因高度整合而簡化的設計，從而縮短開發時間，降低整體系統成本，並減少溫室氣體排放。例如，與使用當前 IGBT 功率整合模組 (PIM) 的系統解決方案相比，在 70% 負載時的功率損耗為 500W，而採用高效的 EliteSiC SPM 31 IPM 可使每個 EC 風機的年能耗和成本降低 52%。完全整合的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一個獨立的上橋閘極驅動器、低壓積體電路 (LVIC)、六個 EliteSiC MOSFET 和一個溫度感測器（電壓溫度感測器 (VTS) 或熱敏電阻）。 該模組基於業界領先的 M3 SiC 技術，縮小了裸片尺寸，並最佳化了硬開關應用，採用 SPM 31 封裝可提高短路耐受時間 (SCWT) ，適用於工業用變頻電機驅動。MOSFET 採用三相橋式結構，下橋臂採用獨立源極連接，充分提高了選擇控制演算法的靈活性。此外，EliteSiC SPM 31 IPM 還包括以下優勢： 低損耗、額定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止設備和元件發生災難性故障，如電擊或火災。 內置欠壓保護（UVP），防止電壓過低時損壞設備。 作為 FS7 IGBT SPM 31 的對等產品，客戶可以在使用相同 PCB 板的同時選擇不同的額定電流。 獲得UL認證，符合國家和國際安全標準 單接地電源可提供更好的安全性、設備保護和降低雜訊。 簡化設計並縮小客戶電路板尺寸，這得益於 o 閘極驅動器控制和保護o 內置自舉二極體（BSD）和自舉電阻（BSR）o 為上橋閘極升壓驅動提供內部升壓二極體o 整合溫度感測器（由 LVIC 和/或熱敏電阻輸出 VTS）o 內置高速高壓積體電路更多資訊： 瞭解有關安森美 EliteSiC SPM 31 IPM 和 FS7 IGBT SPM 31 IPM 的更多資訊。 閱讀 EliteSiC SPM 31 IPM 和 FS7 IGBT SPM 31 IPM 的應用筆記。 關於安森美（onsemi）安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）致力推動顛覆性創新，打造更美好的未來。公司關注汽車和工業終端市場的大趨勢，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續電網、工業自動化以及5G和雲基礎設施等細分領域的變革創新。安森美提供高度差異化的創新產品組合以及智慧電源和智慧感知技術，以解決全球最複雜的挑戰，引領創造更安全、更清潔、更智慧的世界。安森美位列《財富》美國500強，也被納入納斯達克100指數和標普500指數。瞭解更多關於安森美的資訊，請訪問：https://www.onsemi.com/。安森美和安森美圖示是Semiconductor Components Industries, LLC的註冊商標。所有本文中出現的其它品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站，但此稿並不包含其網站中有關的資訊。

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全新PE208碳化矽磊晶系統採用雙腔體設計，且具備更高的產量及更低的擁有成本，可促進碳化矽元件的更廣泛應用
科技新訊
ASM推出PE2O8碳化矽磊晶系統

新系統擴展了ASM作為業界標竿的單晶圓碳化矽磊晶系統產品組合，包括6吋PE1O6和8吋PE1O8系統，具備更高的產量、更低的擁有成本，並採用雙腔體設計，兼容6吋和8吋的單晶圓碳化矽磊晶系統。   【2024年10月7日，台北訊】全球半導體前端製程設備龍頭企業ASM （Euronext Amsterdam: ASM） 於2024國際碳化矽與材料論壇上發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用。   隨著全面電氣化趨勢推動更多功率元件製造商在越來越多高功率應用中（如電動車、綠能與先進資料中心）使用碳化矽 （SiC），對碳化矽的需求和降低成本的期望日益增強，這促使了6吋至8吋碳化矽基板的過渡。同時，碳化矽元件製造商正致力於設計更高功率的元件，這些元件將受益於更優質的碳化矽磊晶技術。   採用獨特設計的PE2O8雙腔體系統，透過極度精確的控制進行碳化矽沉積，實現了標竿級的高產量和更佳的生產率。其高度精密的雙腔體設計不僅提升了生產效率，也有效降低整體營運成本。此外，該系統具備簡便的定期維護方案，幫助提高設備的正常運行時間，並減少意外停機的發生。目前，該系統已持續交付給全球多個客戶，其中包含碳化矽功率元件製造業的領導企業。   ASM企業副總裁兼PEALD及Epi事業部門總經理Steven Reiter表示：「我們的客戶正在從6吋晶圓過渡到8吋晶圓，所以我們正處於碳化矽功率產品的關鍵轉折點。在更大尺寸的晶圓上提供高品質的磊晶製程並有效控制缺陷率至關重要，而我們憑藉創新的腔體設計，一直作為業界製程穩定性的標竿。如今，我們擴展了系統能力，進一步提升製程控制，並透過降低擁有成本為客戶創造更多價值。」   自2022年以來，ASM透過新的碳化矽磊晶產品部門，持續開發和精煉其單晶圓碳化矽磊晶系統。隨著電動車需求結構性的增加，及碳化矽晶圓和元件整體產量的提升，碳化矽磊晶設備市場近年來大幅增長。     關於ASM ASM為荷蘭半導體設備供應商，成立於1968年，總部位於荷蘭阿爾梅勒（Almere），與其子公司設計並製造用於晶圓加工的半導體設備和製程解決方案，在美國、歐洲和亞洲共設有15個據點。ASM 於2007年於台灣成立分公司—台灣先藝科技股份有限公司，深耕台灣至今18年，於新竹、台中、林口、台南皆有辦公室，並於2023年成立南科培訓中心，其高雄辦公室將於2024年開幕。欲了解更多資訊，請參考ASM官方網站：www.asm.com

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科技新訊
安森美加速碳化矽創新 助力推進電氣化趨勢

推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應用的能源效率   新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50% 該平臺採用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗 與安森美 (onsemi) 智慧電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以進一步提供最佳化的系統方案並縮短產品上市時間 安森美宣佈計畫在 2030 年前加速推出多款新一代碳化矽產品   2024 年 7 月 19 日 - 面對不斷升級的氣候危機和急劇成長的全球能源需求，世界各地的政府和企業都在為宏大的氣候目標而攜手努力，致力於減輕環境影響，實現可持續未來。其中的關鍵在於推進電氣化趨勢，以減少碳排放並提高可再生能源利用率。為加速全球電氣化轉型，安森美（納斯達克股票代號： ON）推出了最新一代碳化矽技術平臺 EliteSiC M3e MOSFET，並披露計畫將在 2030 年前推出多代新產品。   安森美電源配置事業群總裁 Simon Keeton 表示：“電氣化的未來依賴先進的功率半導體，而電源創新對於實現全球電氣化和阻止氣候變化至關重要。如果電源技術沒有重大創新，現有的基礎設施將無法滿足全球日益成長的智慧化和電氣化交通需求。我們正在積極推動技術創新，計畫到 2030 年大幅提升碳化矽技術的功率密度，以滿足日益增加的能源需求，並助力全球電氣化轉型。”   在這一過程中，EliteSiC M3e MOSFET 將發揮關鍵作用，推動提升下一代電氣系統的性能和可靠性，同時降低每千瓦成本，從而加速普及電氣化舉措並強化實施效果。該平臺能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，同時可有效降低電源轉換損耗，因此對於電動汽車動力系統、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業應用至關重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進資料中心向更高效、更高功率轉變，以滿足永續人工智慧引擎日益成長的能源需求。   高效可靠平臺  帶來跨世代效率躍進 憑藉安森美獨特的設計工程和製造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在值得信賴且經過實際驗證的平面架構上顯著降低了導通損耗和開關損耗。與前幾代產品相比，該平臺能夠將導通損耗降低 30%，並將關斷損耗降低多達 50%1。透過延長SiC 平面 MOSFET 的壽命並利用 EliteSiC M3e 技術實現出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固和穩定性，使其成為關鍵電氣化應用的理想選擇。   EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導通電阻 (RSP) 和抗短路能力，這對於佔據 SiC 市場主導地位的主驅逆變器至關重要。1200V M3e 晶片採用安森美先進的分立和功率模組封裝，與之前的 EliteSiC 技術相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話說，在保持輸出功率不變的情況下，新設計所需的 SiC 材料可以減少 20%，成本更低，並且能夠實現更小、更輕、更可靠的系統設計。   此外，安森美還提供更廣泛的智慧電源技術，包括柵極驅動器、DC-DC 轉換器、電子保險絲等，並均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。透過優化和協同設計功率開關、驅動器和控制器的端到端一體化組合，安森美將多項進階特性整合在一起，並降低了整體系統成本。   加速未來電源技術發展 未來十年，全球能源需求預計會急劇增加，因此我們迫切需要提高半導體的功率密度。安森美正積極遵循其碳化矽技術發展藍圖，不僅引領裸片架構上的創新，還致力於探索新型封裝技術，以此持續滿足產業對更高功率密度的廣泛需求。   每一代新的碳化矽技術都會優化單元結構，在更小的面積上高效傳輸更大的電流，進而提高功率密度。結合自身先進的封裝技術，安森美將能顯著提升性能並減小封裝尺寸。透過將摩爾定律引入碳化矽技術的開發，安森美同時研發多代產品，持續推動實現其發展藍圖，以達成在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產品。   安森美電源配置事業群技術行銷高級總監 Mrinal Das 表示：“憑藉數十年來在功率半導體領域積累的深厚經驗，我們不斷突破技術瓶頸，在工程和製造方面實現創新，以滿足全球日益成長的能源需求。碳化矽的材料、裝置與零組件和封裝技術之間存在很強的相互依賴性。我們完全掌控了這些關鍵技術，因此能夠自主控制設計和製造過程，更快地推出新一代產品。”   EliteSiC M3e MOSFET 採用產業標準的 TO-247-4L 封裝，樣品現已上市。       更多資訊請訪問： ·       EliteSiC M3e Product Page ·       EliteSiC M3e產品頁面 ·       EliteSiC Technology Page ·       EliteSiC 技術頁面 ·       Future Proofing Your Silicon Carbide Design: A Guide for Automotive Manufacturers ·       永不過時的碳化矽設計：汽車製造商指南 ·       System Solution Guides ·       系統方案指南 ·       Reliable Supply of Silicon Carbide - The onsemi difference ·       安森美優勢之穩定的碳化矽供應鏈 1 基於內部與EliteSiC M3T MOSFET的對比測試   關於安森美（onsemi） 安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）致力推動顛覆性創新，打造更美好的未來。公司關注汽車和工業終端市場的大趨勢，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、永續電網、工業自動化以及5G和雲基礎設施等市場區隔領域的變革創新。安森美提供高度差異化的創新產品組合以及智慧電源和智慧感知技術，以解決全球最複雜的挑戰，引領創造更安全、更清潔、更智慧的世界。安森美位列《財富》美國500強，也被納入納斯達克100指數和標普500指數。瞭解更多關於安森美的資訊，請訪問：http://www.onsemi.cn。   安森美和安森美圖示是Semiconductor Components Industries, LLC的註冊商標。所有本文中出現的其它品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站，但此稿並不包含其網站中有關的資訊。

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產經商業
安森美將收購碳化矽 JFET 技術 以強化AI資料中心的電源產品組合

收購Qorvo的SiC JFET業務及其子公司United Silicon Carbide， 將在5年內為安森美帶來13億美元的市場機會     台北訊– 2024年12月10日–安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣佈已與Qorvo達成協定，以1.15億美元現金收購其碳化矽接面場效電晶體（SiC JFET） 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。 該收購將補足安森美的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智慧（AI）資料中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷電開關、固態斷路器（SSCB） 等新興市場的部署。   SiC JFET的單位面積導通電阻超低，比任何其他技術低近一半。 它們還支援使用矽基電晶體幾十年來常用的現成驅動器。 綜合這些優勢， SiC JFET的採用能夠加快開發速度，減少能耗並降低系統成本，為電源設計人員和資料中心營運商提供顯著的價值。   「隨著Al工作負載日趨複雜和耗能，能提供高能效並能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。」 安森美電源方案事業群總裁暨總經理Simon Keeton表示。 「隨著Qorvo業界領先的SiC JFET技術的加入，我們的智能電源產品組合為客戶提供多一種最佳化能耗、提高功率密度的選擇。」   該交易需滿足慣例成交條件，預計將於2025年第一季完成。   更多資訊： 安森美投資者介紹     關於安森美（onsemi） 安森美（onsemi， 納斯達克股票代號：ON）致力推動顛覆性創新，打造更美好的未來。 公司關注汽車和工業終端市場的大趨勢，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續電網、工業自動化以及5G和雲基礎設施等細分領域的變革創新。安森美提供高度差異化的創新產品組合以及智能電源和智能感知技術，以解決全球最複雜的挑戰，引領創造更安全、更清潔、更智能的世界。 安森美名列《財富》美國500強，也被納入納斯達克100指數和標普500指數。 瞭解更多關於安森美的資訊，請訪問：http://www.onsemi.com。   onsemi和onsemi圖示是Semiconductor Components Industries， LLC的註冊商標。 所有本文中出現的其它品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。 雖然公司在本新聞稿提及其網站，但此稿並不包含其網站中有關的資訊。   Caution Regarding Forward-Looking Statements:   This press release includes “forward-looking statements,” as that term is defined in Section 27A of the Securities Act of 1933, as amended, and Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934, as amended. All statements, other than statements of historical facts, included or incorporated in this press release could be deemed forward-looking statements, particularly statements about the impact of the announced acquisition of the SiC JFET technology division. Forward-looking statements are often characterized by the use of words such as “believes,” “estimates,” “expects,” “projects,” “may,” “will,” “intends,” “plans,” “anticipates,” “should” or similar expressions or by discussions of strategy, plans or intentions. All forward-looking statements in this document are made based on our current expectations, forecasts, estimates and assumptions and involve risks, uncertainties and other factors that could cause results or events to differ materially from those expressed in the forward-looking statements. Certain factors that could affect our future results or events are described under Part I, Item 1A “Risk Factors” in the 2023 Annual Report on Form 10-K filed with the Securities and Exchange Commission (“SEC”) on February 5, 2024 (the “2023 Form 10-K”) and from time to time in our other SEC reports. Readers are cautioned not to place undue reliance on forward-looking statements. We assume no obligation to update such information, which speaks only as of the date made, except as may be required by law. Investing in our securities involves a high degree of risk and uncertainty, and you should carefully consider the trends, risks and uncertainties described in this document, our 2023 Form 10-K and other reports filed with or furnished to the SEC before making any investment decision with respect to our securities. If any of these trends, risks or uncertainties actually occurs or continues, our business, financial condition or operating results could be materially adversely affected, the trading prices of our securities could decline, and you could lose all or part of your investment. All forward-looking statements attributable to us or persons acting on our behalf are expressly qualified in their entirety by this cautionary statement.

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安森美韓國富川碳化矽工廠擴建正式落成 晶圓年產能將突破一百萬片
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安森美韓國富川碳化矽工廠擴建正式落成 晶圓年產能將突破一百萬片

產能全開時，富川晶圓廠每年將能生產超過一百萬片 SiC 晶圓   2023年10月24日—安森美（onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON）宣佈，其位於韓國富川的先進碳化矽 (SiC) 超大型製造工廠的擴建工程已經完工。產能全開時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片 200 mm SiC 晶圓。為了支持 SiC 產能的提升，安森美計劃在未來三年內僱用多達 1,000 名當地員工來填補大部分高技術職位；相比目前約 2,300 名員工，人數將增加 40% 以上。   碳化矽元件是電動汽車 (EV)、能源基礎設施和大功率 EV 充電樁中，進行功率轉換的關鍵組成要件。市場對這些產品的需求迅速成長，使得 對SiC 晶片的需求激增。在可預見的未來，SiC 晶片將供不應求。富川晶圓廠的擴建解決了市場對增產的迫切需求，使安森美能夠持續為客戶提供供應保證，並加強安森美在智慧電源管理領域的領導地位。   新的 150 mm/200 mm SiC 先進生產線及高科技公用設施建築和鄰近停車場於 2022 年中期開始建設，並於 2023 年 9 月竣工。150 mm/200 mm SiC 磊晶(Epi) 和晶圓廠的擴建，實現了安森美致力於在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化矽製造供應鏈的戰略。富川 SiC 生產線將從生產 150 mm 晶圓開始，在 2025 年完成200mm SiC 技術認證後，將轉為生產 200 mm 晶圓。   安森美領導層與由京畿道經濟副知事Taeyoung Yeom 率領的政要代表團一同出席了此次竣工活動。代表團成員包括富川市市長 YongEek Cho、多名國民議會代表以及富川工商會主席 JongHuem Kim。現場還有來自當地社區、客戶、供應商和半導體產業的代表。   安森美執行長(CEO) Hassane El-Khoury 在竣工儀式致開幕詞：「富川 150 mm/200 mm SiC 晶圓廠對於我們全面整合的 SiC 供應鏈的持續成功至關重要，使我們能夠支持全球電氣化的加速發展。過去五年，我們的富川團隊表現非凡。我們相信，與政府機構及社會團體攜手，將助力我們邁向更永續未來的共同目標。」   富川市市長 YongEek Cho 表示：「安森美從上至下勤勉、高效地完成了擴建富川 SiC 晶圓廠的戰略計劃，讓我印象深刻。這不僅會為富川市創造高科技領域的大量就業機會，也會為我們推進電氣化進程、建立永續發展的行業及環境生態系統奠定基礎。」    關於安森美（onsemi） 安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）正推動顛覆性創新，幫助建設更美好的未來。公司專注於汽車和工業終端市場，正加速推動大趨勢的變革，包括汽車功能電子化和安全、永續電網、工業自動化以及5G和雲端基礎設施等。安森美提供高度差異化的創新產品組合以及智慧電源和智慧感知技術，以解決全球最複雜的挑戰，引領創造更安全、更清潔、更智慧的世界。安森美名列《財富》美國500強，也納入標普500指數。瞭解更多關於安森美的資訊，請訪問：http://www.onsemi.com。   安森美和安森美圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC的註冊商標。所有本文中出現的其它品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。

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科技新訊
緯湃科技和安森美簽署碳化矽（SiC）長期供應協定，同意投資於碳化矽（SiC）擴產

2023年6月1日 -緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣佈了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化矽（SiC）產品10年期供應協定，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案製造商，將向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的投資，用於採購碳化矽（SiC）晶錠生長、晶圓生產和外延的新設備，以提前鎖定碳化矽（SiC）的產能。這些設備將用於生產碳化矽（SiC）晶圓，以支持緯湃科技不斷增長的SiC業務需求。同時，作為智能電源和智能感知技術的領導者，安森美將繼續大量投資於端到端的碳化矽（SiC）供應鏈。   此外，基於此次合作，緯湃科技將提供更最佳化的客戶解決方案。安森美高能效的EliteSiC MOSFET將用於交付緯湃科技近期斬獲的訂單並將延用至未來的牽引逆變器和電動汽車驅動器項目。   緯湃科技首席執行長Andreas Wolf說：“高能效碳化矽功率半導體正處於需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化矽價值鏈。通過這項投資，我們在未來十年甚至更長時間內都能確保該項關鍵技術的供應。”   安森美總裁暨首席執行長Hassane El-Khoury說： “這項合作將助力緯湃科技滿足其客戶對電動汽車更遠續航和更高性能的需求。安森美提供卓越的產品性能和品質及供貨保證，基於幾十年來為大量汽車應用製造功率半導體產品的經驗，實現碳化矽（SiC）技術的大規模製造。”   碳化矽（SiC）半導體是電氣化的一項關鍵技術，可實現高能效的電力電子，從而縮短電動汽車的充電時間及延長續航里程。特別是在800V等高電壓水準，碳化矽(SiC)逆變器可以比矽元件實現更高能效。由於800V是快速和便捷的高壓充電的先決條件，因此碳化矽（SiC）元件正在全球範圍內日益興起。   緯湃科技是一家國際領先的可持續出行尖端驅動系統的開發商和製造商。憑藉電動、混合動力和內燃機驅動系統的智能系統解決方案和零部件，緯湃科技正在使出行變得更清潔、更高效和經濟。產品組合包括電力驅動、電子控制、感測器和執行器以及廢氣處理解決方案等。2022年，緯湃科技的銷售額約為90.7億歐元，擁有約38,000名員工和50個據點。緯湃科技的總部位於德國雷根斯堡。     # # #     關於安森美（onsemi） 安森美（納斯達克股票代碼：ON）一直在推動顛覆性創新的路上孜孜以求，努力打造更美好的未來。公司專注於汽車和工業終端市場，目前正加速變革，擁抱大趨勢的轉變，包括汽車電汽化和汽車安全、可持續能源網、工業自動化以及5G和雲基礎設施等。安森美的智慧電源和感知技術，以高度差異化的創新產品組合，助力解決全球最複雜的挑戰和難題，引領創建一個更加安全、 清潔、智慧的世界。安森美是《財富》美國500強（Fortune 500®）和標普500指數（S&P 500®）企業。訪問www.onsemi.cn瞭解關於安森美的更多內容。    

文章來源 : 盛思公關 發表時間 : 瀏覽次數 : 11257 加入收藏 :
賓夕法尼亞州立大學與安森美簽署合作備忘錄， 以推動碳化矽研究
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格棋化合物半導體榮獲第21屆國家新創獎肯定
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安森美2023年Ｑ2業績優於預期
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安森美選址捷克打造端到端碳化矽生產 供應先進功率半導體
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恩智浦與ZF攜手合作開發碳化矽牽引逆變器 幫助推動電動車動力系統發展
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安森美和麥格納簽署策略合作協議，投資碳化矽生產以滿足日益增加的電動車市場需求
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安森美與博格華納擴大碳化矽策略合作 協定總價值逾10億美元
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Microchip推出碳化矽電子保險絲展示板，為保護電動汽車應用中的電源設備提供更快、更可靠的方法
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筑波科技成功舉辦化合物半導體檢測技術與自動化論壇 攜手推動產業發展
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敬邀：4/30 筑波科技化合物半導體檢測技術與自動化論壇
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ACE Solution and Taiwan Nano & Micro-Photonics Showcase Semiconductor and Silicon Photonics Solutions at SEMICON 2025
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筑波科技攜手奈微光亮相 SEMICON 2025，展出半導體與矽光子解決方案
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ACE Solution Successfully Hosts “Compound Semiconductor Testing Technology and Automation Forum” to Enhance Industry Development
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2024壓軸登場！筑波科技化合物半導體與矽光子技術研討會，引領智慧製造未來
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敬邀：11/14筑波科技 化合物半導體與矽光子技術研討會
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筑波科技攜手格斯科技與格棋化合物半導體，共創電池與SiC晶圓檢測新紀元
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敬邀：4/17筑波科技 化合物半導體材料與測試技術研討會
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