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化合物半導體在科技部是重大發展計畫之一，陽明交大承接碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料應用於Power IC、RF，藉此開發與鏈結創新材料、設計、軟體及服務平台成果，培養全球市場即戰力。透過跨產業與學術交流平台及研討活動，能串聯廠商推動媒合，促成各團體跨界合作。 SEMI在化合物半導體領域的推動不遺餘力，更積極搭起上中下游交流平台，本次活動為2023年化合物半導體的產官學交流分享揭開序幕，邀請產學研夥伴洞悉市場趨勢及分享成功案例。 歡迎SEMI會員、化合物半導體及3DIC的廠商主管至報名網站參加。 本活動採實體進行，謝謝！ 聚焦分享： l 筑波科技：WBG 市場趨勢及測試方案系統實務介紹 l GaN Systems：WBG Can Resolve Energy Problem l 筑波科技：化合物半導體非破壞的 Wafer /材料分析應用方案 l 陽明交大/鴻海研究院：Recent Progress of WBG for EV l 盛新材料：SiC Substrate in Taiwan 活動日期: 2023年02月10日(五) PM12:30 – PM18:30 活動地點: 新竹縣竹北市生醫二路66號 筑波醫電大樓 (新竹生醫園區) 報名方式: 03-5500909 ext. 3407林小姐/ 3502 鄭小姐 service@acesolution.com.tw 線上報名: https://register.acesolution.com.tw/2023_WBG_Semiconductor_Seminar
筑波網絡科技與美商泰瑞達Teradyne合作，於12月15日舉辦深圳辦公室卓越半導體工程(EC)中心開幕茶會，將以Eagle Test System (ETS)設備提供WBG材料分析與功率IC/module測試等相關方案，定期提供客戶教育訓練課程、小量試產與軟硬體技術現場服務。 迎接電動車、快充需求帶動第三代半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)國際市場快速發展，儲能設備及高效能控制機台需要更多強韌的運算晶片與電源管理IC功率元件。擁有高精準、高穩定度，高速測試、低單位IC測試成本與強大工程經驗支持攸關POWER IC研發及OSAT測試成功關鍵。ETS設備系列具有高功率(>3000V)、高電流(>100A)、耐高溫等特色，結合筑波科技之材料分析MA與故障瑕疵分析FA、封裝FT測試與設備整合經驗，為客戶開發整合測試解決方案(Total Solution)。 開幕茶會邀請代表性業界先進蒞臨，洞悉交流功率半導體市場趨勢。市場區塊最明顯的成長為車載用的半導體元件，電動車精密的功能需要更強韌的運算晶片與POWER IC功率元件，此為ETS系統測試設備的優勢，ETS-88、364、800型系列皆能滿足彈性擴展及克服更高功率、高電流的複雜汽車測試挑戰。 EC中心亦進行Teradyne ETS實機展示與導覽，盼筑波網絡科技與Teradyne合作創造雙贏綜效，以ETS設備結合筑波20年測試整合經驗，並搭配IC測試載板(Load Board)廠商夥伴合作，可規劃具市場差異性之客製化解決方案(Total Solution)，提供最高品質的ATE及售後服務。
車用處理器領導者恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.; NASDAQ：NXPI）宣佈推出全新S32K39系列車用微控制器（MCU），該系列MCU針對電動車（EV）控制應用進行最佳化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效，在延長行駛里程的同時，提供更順暢的電動車駕駛體驗，滿足未來電氣化需求。S32K39 MCU的網路、資安和功能安全超越傳統車用MCU，可滿足區域車輛E/E架構和軟體定義汽車（software-defined vehicle；SDV）需求。透過新的MCU，恩智浦電池管理系統（battery management system；BMS）和電動車電源逆變器（power inverter）能夠提供適用於下一代電動車的全程解決方案。 高效能S32K39 MCU針對牽引逆變器（traction inverter）的智慧與高精度控制進行最佳化，可將電動車電池的直流電轉換為交流電，驅動現代化牽引電機。該系列MCU既能支援傳統的絕緣柵雙極電晶體（insulated-gate bipolar transistor；IGBT），也能幫助新推出的碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）技術。S32K39高效能MCU透過雙200 kHz控制環路提升能效，讓逆變器體積更小、更輕、更高效率，行駛里程更長。該系列可控制六相電機（six-phase motor），提高功率密度和容錯率，長期保持高可靠性。此外，S32K39高效能MCU搭載安全ASIL D軟體解析器以及整合正弦波產生器（sine wave generation）與sigma delta轉換器（converter），消除了對外部元件的需要，進而降低系統成本。與恩智浦S32E實時處理器結合使用時，S32K39還能夠靈活地控制多達4個牽引逆變器，並且能夠為採用該配置的4輪驅動電動車使用高階牽引功能。 S32K39系列採用多功能架構，因此除了適用於牽引逆變器控制，也適合各種電動車應用，包括電池管理系統（BMS）、車載式電池充電器（on-board charging；OBC）和DC/DC轉換。此外，還支援硬體隔離、時間敏感型網路（Time-Sensitive Networking；TSN）和進階加密，已為支援軟體定義汽車和區域架構做好充分準備。 恩智浦半導體車輛控制與電氣化部門總監Allan Mcauslin表示：「S32K39 MCU整合多種先進技術於一體，為汽車廠商提供絕佳的靈活性和可擴展性，加速電動車開發與部署最新電氣化技術。憑藉全面的互補解決方案產品組合，恩智浦引領產業發展趨勢，為客戶提供更好的電動車駕駛體驗，同時加速推動電動車革新。」 關於S32K39 S32K系列中效能最出眾的產品，搭載4個工作頻率為320 MHz的Arm® Cortex®-M7核心，配置為一個鎖步配對（lockstep pair）與兩個分裂鎖定核心（split-lock core） 高達6 MB快閃記憶體和800 KB SRAM 兩個電機控制輔助處理器和NanoEdge™高解析度脈衝寬度調製（pulse-width modulation；PWM），實現更高效能和精準度控制 安全ASIL D軟體解析器消除對外部元件的需要並降低成本 完整的DSP提供靈活的數位濾波（digital filtering）和機器學習（ML）演算法 多通道類比支援，搭載SAR和sigma-delta A/D轉換器、比較器（comparator）和用於解析激勵器（excitation）的正弦波產生器（sine wave generation） 6個CAN FD介面、TSN乙太網和多個進階可程式設計I/O 透過使用公開金鑰基礎設施（Public Key Infrastructure；PKI）和金鑰管理系統，硬體安全引擎（hardware security engine；HSE）實現可信任開機、安全服務、無線更新（OTA） 還提供S32K37版本（不配備雙電機控制處理器） 採用通過認證的ISO/SAE 21434網路安全和ISO 26262功能安全製程開發 提供兩種封裝：176LPQFP-EP和289MAPBGA 系統解決方案供貨情況 目前，為主要客戶提供工程樣品、評估板和綜合性軟體支援與工具。S32K39 MCU可與恩智浦FS26安全系統基礎晶片（system basis chip；SBC）和具備可調節動態閘道強度控制的進階高壓隔離閘道驅動器GD3162結合使用，實現安全的逆變器控制系統。對於牽引逆變器開發，二者均支援最高級別的功能安全等級（ASIL D）。計畫於2023年第4季度正式量產。 關於恩智浦電氣化解決方案 恩智浦電氣化解決方案採用可靠的開放式架構，能實現從電氣化端點到雲端的更安全可靠的雙向通訊。我們的整合與嵌入式技術讓產品設計人員和服務供應商有信心建構具備最高功能安全和資訊安全標準的系統。恩智浦還提供具洞察的資訊，幫助提高整個產品生命週期的效能。恩智浦電氣化解決方案的控制功能不局限於系統一部分，而是覆蓋整個生態系統，包括電池管理、高效馬達驅動、快速充電及全車電氣負載平衡。 更多相關訊息，請參閱NXP.com/S32K39。
電動車、快充帶動第三代半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)國際市場快速發展趨勢、儲能設備及高效能控制機台，需要更多強韌的運算晶片與電源管理IC功率元件，專注為高精準、高穩定度，高速測試、低單位IC測試成本與強大工程經驗支持能力是攸關 POWER IC 研發及OSAT 測試成功的關鍵能力。 筑波科技與美商泰瑞達Teradyne合作，攜手推廣Eagle Test System (ETS)設備系列。因應測試晶片機台需求逐年成長，Teradyne提供高質量檢驗、快速精準，降低測試成本、提升產能的ETS設備，具有高功率(>3000V)、高電流(>100A)、耐高溫、精準穩定之特色。筑波科技則結合材料分析MA與故障瑕疵分析FA、封裝FT測試與設備整合經驗，為客戶開發整合測試解決方案(Total Solution)，並設立EC半導體工程中心提供高品質的訓練與服務。 筑波科技與Teradyne ETS將主要聚焦實務分享： 1. Teradyne Device Interface Solution Business Overview 2. GaN and IGBT Probe Interface Solution Overview 3. WBG Market Trend and Teradyne Eagle System Introduction Practice 4. ACE Universal for SiC/GaN Wafer MA Test Solutions 5. Brief the Specific Functions for Power IC ATE Machines by HT 我們邀請您與筑波科技專業團隊就相關議題和技術交流！ 歡迎寬能帶半導體及3DIC產業領域的廠商先進主管至報名網站參加。 現場及線上直播並行。謝謝！ 活動日期：2022年11月23日(三) PM1:00 – PM5:00 活動地點：新竹縣竹北市生醫二路66號 筑波醫電大樓 (新竹生醫園區) 報名方式：03-5500909 ext. 3407林小姐/ 3502 鄭小姐 service@acesolution.com.tw 線上報名：https://register.acesolution.com.tw/2022_ACE_Teradyne_ETS_1123
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股宣佈，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續航能力已經無法滿足用戶對於待機的需求，因此大功率的快充電源成為解決續航問題的另一種途徑。但在以往的認知裡，功率往往和充電器的體積有著密不可分的關係，一般來說輸出功率越大，體積往往也就越大，這與產品日益小型化的趨勢嚴重不符。為解決這一設計難題，大聯大友尚基於onsemi和GaN System產品推出了PD快充解決方案，將先進的氮化鎵器件應用其中，使產品能夠擁有大功率快充的同時，外觀依舊保持小巧。 NCP1623是onsemi推出的一款升壓PFC控制器，其基於創新的Valley同步頻率折返（VSFF）方法。VSFF可在標稱負載和輕負載條件下最大限度地提高效率，即在重載時以臨界模式運行，在輕載時進入斷續導通模式，並支援谷底開通以提高效率。NCP1623在低輸入電壓可將能效提高到2%，睡眠模式用電小於100μA，這能有效優化空載輸入電源狀態。 NCP1343准諧振反激控制器是設計高性能離線電源轉換器的理想選擇。NCP1343具有一個專有的谷底鎖定電路，以確保穩定的谷底開關提高產品性能及穩定性。並且該系統可以在第個6谷底值工作，並轉換到頻率折返模式以降低開關損耗。而隨著負載進一步降低，NCP1343進入靜音跳躍模式以管理功率傳輸，同時最大限度地減少噪聲。 除此之外，本方案還採用GaN System的GS-065-011-2-L功率晶體管作為功率轉換器件，能夠在不損傷電池的情況下，實現安全快充。借助onsemi和GaN System的先進產品與出色的技術，此PD快充電源設計最大輸出功率為120W，並配備單USB-C口輸出為100W（20V/5A），電源轉換效率可高達93%。 核心技術優勢： PCBA 60mmx60mmx19mm超小體積，功率密度：1.26cm³/W； NCP1623自動分段PF架構，更好提高5V-12V效率； 高效率93%，待機功耗小於100MW； 支援SCP、FCP、QC、PD、PPS多協議快充，覆蓋市面上98%以上的筆記本、手機、平板、移動電源、適配器電源。 方案規格： 輸入參數：90V to 264VAC 47/60HZ； 輸出電壓：3.3V -21V； 最大輸出功率：100W； 支援PD2.0/3.0、PPS、BC1.2、QC。
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。 隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計。並且由於LED需要長期在狹小空間內工作，因此散熱性也是一個嚴重制約應用安全的問題。在這種情況下，將高頻高效的氮化鎵應用於LED驅動電源上，借助氮化鎵高頻、高轉換效率、高擊穿電壓等特性，可以有效縮小產品體積並減少發熱情況，是高端燈具的理想選擇。由大聯大詮鼎基於Innoscience INN650D01場效應晶體管推出的高效超薄型200W LED驅動電源方案能夠滿足LED小型化設計的同時，提供高效的電源轉換能力。 本方案採用超薄設計，其內置Innoscience的高頻高效功率管INN650D01+INN650D02，採用PFC+LLC+SR架構，具有可達35W/in³的高功率密度，峰值效率達96%。借助此方案可大大提升LED的照明效率，減小產品體積，非常適用於對空間限制有嚴苛要求的應用。 英諾賽科（Innoscience）是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵外延及器件研發與製造的高新技術企業，採用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線。公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，公司的目標是以更低的價格，向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件，並且實現GaN技術在市場的廣泛應用。在本方案中採用的INN650D01是公司旗下的增強型氮化鎵場效應晶體管，具有高頻高功率的特性。 在以氮化鎵為首的第三代半導體材料應用越來越廣泛的今天，大聯大詮鼎攜手氮化鎵器件製造專家Innoscience聯手推出的200W LED驅動電源方案將先進的氮化鎵技術應用其中，能夠在提高電源效率的同時，顯著縮小LED燈具的體積，降低散熱需求，滿足市場對於大功率、輕薄型LED燈具設計需求。 核心技術優勢： INN650D01 Vds最大650V； Rds最大130mΩ； Qg典型值0.9nC； Ids最大34A； Qoss典型值26nC； Qrr典型值0nC。 方案規格： 輸入電壓：Vac180-264V； 輸入電壓頻率：50Hz； 輸出電壓：48V（恒流輸出（4.2A））； 輸出最大功率：200W； 輸出電壓紋波：＜500mV； 最高效率：96%； 板長寬厚196*35*13mm。
A12 藝術空間
氮化鎵
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