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符合「半導體封裝」新聞搜尋結果, 共 36 篇 ,以下為 1 - 24 篇 訂閱此列表,掌握最新動態
Taiyo Holdings推出次世代半導體封裝材料FPIM (TM) Series 成功於12吋晶圓上首次實現CD 1.6微米三層RDL結構

- 論文發表於14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) - 東京2025年11月17日 /美通社/ -- 總部位於東京的Taiyo Holdings Co., Ltd.(證券代碼:4626;以下簡稱「Taiyo Holdings」)於2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上發表與全球頂尖半導體研究機構imec共同撰寫的論文,重點介紹了作為次世代半導體封裝材料開發的、用於大馬士革工藝的細間距RDL (*1)負型光敏絕緣材料「FPIM (TM) Series」(以下簡稱「該材料」)。 RDL是實現先進半導體封裝結構中高效電氣連接的重要技術,目前主要採用半加成工藝(SAP) (*2)製造。imec指出,隨著佈線細微化需求發展,未來要形成線間距1.6微米及以下的互連結構,大馬士革工藝(*3)將成為必要技術。為此,Taiyo Holdings持續開發專用於大馬士革工藝的次世代細間距RDL材料,並自2022年10月起與imec展開共同研究。本研究運用該材料在12吋晶圓上成功形成三層RDL結構,經評估各層佈線間距均達成目標規格:晶圓上RDL1層CD (*4)達1.6微米、通孔層CD為2.0微米(通孔中心間距為CD 4.0微米)、RDL2層CD為1.6微米。這些數值極接近本研究採用的低NA stepper (*5)的解析極限。此外,針對CD 1.6微米的RDL1層進行電氣特性評估,其漏電電流與阻抗表現均屬良好。透過與imec的共同研究,確認該材料具備優異電氣特性、高解析度,以及適應CMP工藝(*6)的品質要求。 未來,公司目標是實現在CD 500納米或更小的晶圓上構建RDL,並持續驗證電氣特性之長期性能與可靠性。Taiyo Holdings將持續開發有助推動半導體封裝領域進步的材料,包括進一步提升AI半導體性能。此外,該材料已於2025年開始提供R&D用小批量樣品。 註:(*1)RDL(重佈線層)為形成於半導體晶片表面、用以重新分佈電氣佈線的層狀結構。(*2)先於整體表面形成薄籽晶層,再透過電鍍於佈線區域形成佈線圖形之法。(*3)於絕緣膜形成佈線溝槽,透過濺鍍、CVD、電鍍等方式填充溝槽並形成圖形之法。(*4)CD(關鍵尺寸)指微細圖形的尺寸規格。(*5)Veeco Low NA (0.16) i-line曝光系統AP300(第一代)。(*6)CMP(化學機械平坦化)工藝是半導體製造中透過化學與機械作用使晶圓表面平坦化的製程。 共同發表論文標題Development of 1.6 micrometer Fine-Pitch RDL Damascene Process using Low-NA i-Line Stepper and a New Negative-tone Photosensitive Dielectric Material(使用Low-NA i-Line Stepper和新的負型光敏介電材料開發1.6微米細間距RDL大馬士革工藝) 評估樣品結構:https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI1fl_9Rzhabg4.png 產品圖片:https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI2fl_yb3oqDfr.png 關於imec與Taiyo Holdings的合作總部位於比利時的imec,全稱為「Interuniversity Microelectronics Centre」,是全球最大的半導體研究機構之一,透過與全球大學及企業合作推動開放創新,促進前沿半導體技術發展。2022年10月,imec與Taiyo Holdings開始就大馬士革工藝用細間距RDL負型光敏絕緣材料(一種次世代半導體封裝材料)展開共同研究。自2024年11月起,Taiyo Holdings派駐研究員至imec,建立更緊密合作環境,持續進行先進半導體材料之日常研發工作。 - Taiyo Holdings Co., Ltd.公司概況:https://kyodonewsprwire.jp/attach/202511108806-O1-ttbIvpYv.pdf 官方網站:https://www.taiyo-hd.co.jp/en/index.html

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SK keyfoundry攜手LB Semicon聯合開發Direct RDL,推動半導體封裝技術升級,強化汽車高性能芯片競爭力

韓國首爾 2025年7月15日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布,該公司已攜手LB Semicon成功聯合開發基於8英寸晶圓的關鍵封裝技術Direct RDL(重布線層),並完成了可靠性測試。此舉標志著新一代半導體封裝技術的重要突破,也大大增強了汽車半導體產品的競爭力。 RDL指的是構建於半導體芯片表面的金屬布線與絕緣層,用於實現芯片與基板之間的電連接。該技術主要應用於WLP(晶圓級封裝)和FOWLP(扇出型晶圓級封裝)流程,有助於增強芯片與基板的互聯性並降低信號干擾。此次由SK keyfoundry與LB Semicon聯合開發的Direct RDL技術,支持高電流容量的功率半導體,性能超越同類技術。該工藝可實現金屬布線厚度高達15微米、布線密度覆蓋芯片面積的70%,不僅適用於移動和工業領域,更適合汽車應用。尤其值得關注的是,該技術滿足國際汽車半導體質量標准 AEC-Q100中的Auto Grade 1等級要求,確保芯片在–40℃至+125℃的嚴苛環境下穩定運行,是目前少數完全適用於汽車產品的解決方案之一。此外,SK keyfoundry還提供了設計指南(Design Guide)與工藝開發工具包(PDK),可為客戶提供量身定制的工藝解決方案,助力實現更小芯片尺寸、更低功耗與更具成本效益的封裝。 作為半導體封裝與測試專業企業,LB Semicon表示,借助SK keyfoundry對半導體工藝的深度理解與先進制造能力,大幅縮短了開發周期。通過將自身後段制程技術與SK keyfoundry的前段代工技術整合,雙方成功實現了晶圓級Direct RDL的最優化結構,預計將顯著提升生產效率。 LB Semicon首席執行官Namseog Kim表示:「此次Direct RDL的聯合開發是強化SK keyfoundry與LB Semicon技術競爭力的重要裡程碑。未來我們將繼續深化合作,共同在高可靠性基礎上,扎根下一代半導體封裝市場。」 SK keyfoundry首席執行官Derek D. Lee表示:「本次與封裝專家LB Semicon的協作,不僅驗證了我們在半導體制造領域的先進綜合能力,也標志著我們成功將其融入尖端封裝工藝。SK keyfoundry將繼續攜手LB Semicon,不斷深化合作,致力於成為全球領先、具備高性能與高可靠性能力的優質代工企業。」 關於 SK keyfoundry SK keyfoundry總部位於韓國,是專注於模擬與混合信號領域的8英寸純晶圓代工企業,為消費電子、通信、計算、汽車和工業等多個領域的半導體企業提供專業服務。其廣泛的技術組合與多樣化的工藝節點使其能夠靈活應對全球客戶不斷演變的需求。獲取更多信息,請訪問https://www.skkeyfoundry.com。  

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KLA 為先進半導體封裝新時代推出全面的IC載板產品組合

全新產品組合通過基板的互連創新提升晶片效能 KLA延續了經過市場驗證的 Corus™ 直接成像系統的技術,推出Serena™ 直接成像平台,以支援主流及高階IC載板的光刻需求 全新的 Lumina™ 檢測和量測系統進一步為IC載板 (包括玻璃基板) 和面板中介層製造商提供有效的高生產品質和良率 加州米爾皮塔斯2024年10月16日 /美通社/ -- 今天,KLA Corporation (NASDAQ: KLAC) 推出了業界最全面的IC載板(ICS)製程管控和工藝啟用解決方案。KLA的綜合專業知識佈局在前端半導體、封裝和IC載板領域,有助於客戶在針對高階高效能應用的晶片封裝互連密度上取得突破。 KLA Corporation 現在為IC載板製造提供業界最全面的製程控制與製程支援解決方案。隨著IC載板和面板中介層等封裝的創新加速,客戶需要新的解決方案,以在支援高效能應用程式的晶片封裝互連密度方面取得突破。 高階封裝持續採用異構集成方法,將多個半導體元件結合在一起,以提升效能、減低功耗和成本效益。為了滿足不斷變化的互連需求,IC載板和面板中介層等的封裝水平正在加速增長。這些技術有效的用於連結晶片和印刷電路板(PCB)。隨著封裝尺寸不斷增大、線路尺寸縮小以及採用新型材料(例如玻璃),製造商可以運用KLA的解決方案組合提升良率、加速交付週期以及提升整體盈利能力。 KLA全面的產品組合包括直接成像(DI)、缺陷檢測、成形、量測、化學製程控制和智慧解決方案,優化了高階封裝製造工作流程。 KLA的產品組合包括多個直接成像解決方案,支援客戶的各種光刻需求。Corus™ 直接成像平台驗證了其高度靈活、高效成像解決方案方面的能力。為了滿足IC載板和下一代高密度互連技術(HDI)等應用不斷發展的需求,新一代光學和雷射技術也在不斷提升,即使針對不同形態的面板也可以快速優化動態成像和層間精度。 針對高階IC載板的應用,直接成像打開了stepper光刻機領域的全新佈局。KLA推出全新的Serena™直接成像平台,提升靈活的數位解決方案,用於大尺寸、高層數的有機載板進行高品質和更細緻的線路成像,提升精度與良率。 KLA Lumina™針對高階IC載板 (包括玻璃基板) 和面板中介層提供全新檢測和量測系統,支援高靈敏度偵測和掃描量測功能,並實現最佳擁有成本。該系統結合人工智能的審查和分類,提供監測,無需操作人員,且與 KLA 的成型解決方案無縫連接。 經過驗證的KLA製程管控解決方案,加强了產品組合功能,其中包括 Orbotech Ultra PerFix™、EcoNet™、Zeta™-6xx、ICOS™ T890、Quali-Fill® Libra® 和 QualiLab® Elite 。KLA的Frontline軟件解決方案涵蓋工程、電腦輔助製造(CAM)和生產資料資料分析,在IC載板製造過程中集中和應用人工智慧,以長期確保KLA在良率管理方面的領先地位。 KLA公司執行副總裁暨策略長 Oreste Donzella 表示:「通過今天發佈的產品組合,KLA 奠定了在半導體生態系統創新方面的領導地位。」「IC載板和其他面板級封裝技術對於提升未來高效能晶片的連接能力至關重要,KLA正在與客戶合作,以解決複雜的生產挑戰,並高度提升他們的良率,為業界奠定成功基礎。」 如需有關 KLA 的全面IC載板解決方案組合的更多資訊,請參加即將舉行的 TPCA展會。 關於 KLA KLA公司(簡稱KLA)提供業界頂尖設備和服務,促進電子行業的創新。我們為製造晶圓和光罩、積成電路、封裝和印刷電路板提供高階製程控制和製程支援解決方案。我們的專家團隊由物理學家、工程師、數據科學家以及問題解決者組成,與全球行業領導者密切合作,設計出推動世界前進的解決方案。投資者和其他人應該注意到,KLA利用投資者關係網站公佈重大財務資訊,包括美國證券交易委員會的檔案、新聞稿、公開盈利電話和會議網絡直播(ir.kla.com)。其他資訊,請參閱以下網址:www.kla.com 前瞻性論述 本新聞稿中的陳述,除歷史事實外,其他如IC載板產品組合預期效能的聲明,均為前瞻性論述,且受1995年《私人證券訴訟改革法》所設的安全港條款約束。這些前瞻性論述基於目前資訊和預期推估,涉及風險和不確定因素。由於眾多因素,包括採用新技術時延遲 (無論是因成本、效能問題還是其他原因),其他公司推出競爭產品、遭遇意料之外的技術挑戰或限制而影響 KLA 產品的採用、效能或使用,以及KLA 截至 2024 年 6 月 30 日財務年度的 10-K 年報中所列的其他風險因素,及 KLA 向美國證券交易委員會申報的其他文件 (包括但不限於其中所述的風險因素),實際結果可能與該等論述的預測有重大差異。KLA 沒有義務且目前也不打算更新這些前瞻性陳述。

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漢高參與 SEMICON Taiwan 2023:突破業界界限,引領次世代半導體封裝材料創新

【台北訊,2023 年 9 月 6 日】漢高於 SEMICON Taiwan 2023 期間展示其廣泛的半導體封裝材料解決方案,並舉辦系列活動與客戶深入討論,一同解決應用端面臨的挑戰。漢高透過近期專為高可靠性先進封裝和打線設備推出的創新產品,展現漢高展現出在汽車、工業和高效運算領域嚴苛封裝設計的影響力。   漢高黏合劑電子事業部半導體全球市場總監 Ramachandran (Ram) Trichur 表示,如同 SEMICON Taiwan 主辦方所強調,半導體產業是驅動全球科技發展和解決部分全球重大重要挑戰的核心;而漢高是上述發展過程中的關鍵貢獻者,為高可靠性的汽車封裝、人工智慧、高效能運算與不斷演進的工業應用,提供先進的半導體封裝材料。   漢高在晶片接著劑和薄膜領域擁有數十年的領導地位,帶來許多突破性的先進封裝解決方案。漢高在 SEMICON Taiwan 分享許多先進材料,有助於半導體技術人員應對微電子發展,包括:   汽車電氣化、回應速度和可靠性:從電源 IC、微控制器到感測器,所有推進現代汽車電氣化、安全和網路連接的設備,都需要有強大的處理能力和卓越實用性能的材料。漢高高導熱晶片接著劑 Loctite Ablestik 6395T 和無壓燒結材料 Loctite Ablestik 8068TI,提供車規級認證最高標準的 0 級可靠性,並相容於包括銅(Cu)在內的各種導線架表面鍍材處理。   此外,漢高在導電晶片延續著薄膜材料方面的開創性成就,也展現在 Loctite Ablestik CDF 200P 和 Loctite Ablestik CDF 600P 這兩款重要產品。兩者除了具備導電晶片接著薄膜的既有優點,如嚴格的鍵合線控制、一致的週邊成形、無傾斜與無樹脂滲出等,並具備不同導熱性和導電性,並與各種晶片尺寸相容。漢高的導電晶片接著薄膜材料廣泛用於汽車微控制器封裝,例如 QFP(Quad Flat Package;方型扁平式封裝技術)和 TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package;薄型小外形封裝)。   高效能運算與行動處理解決方案:新一代處理器正在整合最先進的矽節點倒裝晶片,保護處理器免受熱應力,這對可靠性而言至關重要。漢高去年推出能在高填料填充量與快速流動特性之間取得平衡的突破性半導體級底部填充膠 Loctite Eccobond UF 9000AG;協助封裝專家滿足量產需求,並同時對晶片相互連結提供出色的保護。保護蓋及強化件接著劑也是漢高產品組合的一部分,透過穩定保護蓋和外圍強化件來降低翹曲、維持共面性,進一步保護高價值的 2.5D 和 3D 封裝,在某些情況下,還可以提供接地和屏蔽功能。   Ramachandran (Ram) Trichur 進一步分享,微型化、高效能和極高可靠性等多元整合需求,使半導體元件創新較以往更為複雜;漢高將持續藉由能超越可靠度的材料,協助客戶正面應對挑戰。   欲瞭解更多有關漢高半導體封裝材料、公司全球研發能力,以及應用工程專業,請參閱。   關於漢高(Henkel) 漢高憑藉其品牌、創新和技術,在全球工業和消費品領域中擁有領先的市場地位。漢高黏合劑技術業務部是全球黏合劑、密封劑和功能性塗層市場的領導者。漢高消費品牌在各國市場和眾多應用領域中具有領先地位,在頭髮護理、洗滌劑及家用護理領域尤為突出。樂泰(Loctite)、寶瑩(Persil)和施華蔻(Schwarzkopf)是公司的三大核心品牌。2022 財年,漢高實現銷售額逾 220 億歐元,調整後營業利潤達 23 億歐元左右。漢高的優先股已列入德國 DAX 指數。永續發展在漢高有著悠久的傳統,公司確立有明晰的永續發展策略和具體目標。漢高成立於 1876年,如今,漢高在全球範圍內約有 5 萬名員工,在強大的企業文化、共同的價值觀與企業目標「Pioneers at heart for the good of generations」的引領下,融合為一支多元化的團隊。更多資訊,敬請參閱 www.henkel.com   漢高 Henkel 媒體聯絡人 Sophie ZHANG Email: Sophie.zhang@henkel.com

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奧特斯第三季度再度實現盈利

2025/26 財年前三季度營收達 13 億歐元,同比增長 10% 息稅折舊攤銷前利潤為 2.97 億歐元,息稅折舊攤銷前利潤率 22.6% 居林與萊奧本工廠按計劃推進,並如期貢獻營收 匯率變動對營收、盈利及股東權益產生影響 確認 2025/26 及 2026/27 財年業績展望 奧地利萊奧本2026年2月3日 /美通社/ -- 奧特斯(AT&S) 首席執行官馬銘天(Michael Mertin)表示:「第三季度清晰地證明了我們在運營層面正走在正確的軌道上。一方面,我們持續推進的效率提升計劃已顯現成效;另一方面,科技行業的市場環境正在改善。此外,位於馬來西亞居林和奧地利萊奧本的新工廠開始貢獻營收,使我們再次實現息稅前利潤為正值,我們有信心全面達成全年目標,過去數年的投資正逐步開花結果,為在當前市場復蘇中實現可持續價值奠定堅實基礎。」 2025/26 財年第三季度業績 在 2025/26 財年第三季度,位於居林與萊奧本的新工廠對公司業績增長作出了顯著貢獻。奧特斯合並營收同比增長18%;若扣除匯率影響,增幅高達27%。受益於全面實施的成本優化與效率提升計劃,以及更有利的定價環境,息稅折舊攤銷前利潤同比增長 64%;經匯率調整後,增幅高達 105%。本季度,奧特斯實現淨利潤 2,400 萬歐元(上年同期:虧損 3,300 萬歐元),每股收益為 0.51 歐元(上年同期:–0.95 歐元)。 2025/26 財年前三季度業績 與上年同期相比,2025/26 財年前三季度 奧特斯合並營收同比增長10%,達到 13 億歐元(上年同期:12 億歐元)。若扣除匯率影響,營收增幅達 16%。在報告期內,積極的出貨量增長幫助奧特斯成功對沖了不利的匯率影響。 息稅折舊攤銷前利潤同比增長 28%,由 2.32 億歐元提升至 2.97 億歐元;經匯率調整後,增幅達 46%。盈利能力的改善主要得益於出貨量提升、全面的成本優化與效率提升計劃,以及更為有利的價格環境。息稅折舊攤銷前利潤率提升至 22.6%,顯著高於上年同期的19.4%。由於新增資產投入及技術升級,折舊與攤銷費用增加 3,000 萬歐元,達到 2.63 億歐元,占營收的 20%。   關鍵財務數據 單位:百萬歐元(除特別標注外) Q3 2025/26 Q3 2024/25 變動in % Q1-Q3 2025/26 Q1-Q3 2024/25 變動in % 銷售額 467.7 396.8 17.9 % 1,314.0 1,196.7 9.8 % 息稅折舊攤銷前利潤 122.1 74.5 63.8 % 296.8 231.7 28.1 % 息稅折舊攤銷前利潤率 (in %) 26.1 % 18.8 % – 22.6 % 19.4 % – 息稅前利潤 33.9 (8.2) >100% 34.0 (1.4) >100% 息稅前利潤率 (in %) 7.3 % (2.1 %) – 2.6 % (0.1 %) – 當期利潤 24.2 (32.6) >100% (39.3) (95.3) 58.8 % 資本收益 n.a. n.a. – 2.2 % (1.6 %) – 淨資本支出 (30.7) (161.6) 81.0 % (108.4) (327.5) 66.9 % 經營活動產生的現金流量 122.3 61.2 99.8 % 331.8 (29.4) >100% 每股收益(in €) 0.51 (0.95) >100% (1.35) (2.79) 51.6 % 員工人數1* 13,001 13,428 (3.2 %) 13,064 13,402 (2.5 %) 1包含外包員工,按平均計算。截至2025年12月31日,員工總數為13,600   2025/26 財年展望 奧特斯預計 2025/26 財年全年營收約為 17 億歐元(2024/25 財年:15.9 億歐元)。扣除匯率影響及韓國安山(Ansan)工廠出售因素,運營層面的同比增長約為20%。預計息稅折舊攤銷前利潤率約為 23%,這個數字也反映了居林工廠新產線投產初期運營成本(2024/25財年息稅折舊攤銷前利潤率:38.1%;若扣除安山工廠出售收益,則為 17.7%)。 管理層預計資本性支出約 2 億歐元(2024/25 財年:4.15 億歐元),其中大部分將用於居林新工廠半導體封裝載板產能的擴建。奧特斯預計息稅前利潤及經營活動產生的自由現金流均將為正值。 2026/27 財年展望 奧特斯預計高附加值產品的需求將持續強勁增長,尤其是在生成式人工智能領域。同時,服務器、PC 及筆記本電腦等成熟市場也已明顯復蘇。此外,奧特斯已決定進一步拓展國防領域業務。未來,公司將與客戶開展更加緊密的合作,以確保產能擴張能夠可靠推進。這種深度協同也將支持新產品的結構化導入,並在長期強化聯合研發能力。在這一積極的市場環境下,奧特斯目前預計 2026/27 財年營收將達到約 21 億至 24 億歐元,息稅折舊攤銷前利潤率預計 24% 至 28% 之間。 奧特斯超過四分之三的營收來自美國客戶,且大部分收入以美元結算。生產成本主要以亞洲貨幣計價,而公司報告貨幣為歐元。自 2024 年 12 月發布 2026/27 財年展望以來,美元兌歐元已從 1 歐元兌 1.07 美元貶值至約 1.17 美元,跌幅約 10%。因此,管理層對營收的預期從原先區間的高端調整至區間的低端。未來匯率的進一步波動(無論正面或負面)均可能對營收預測產生影響。 除上述市場因素外,原材料供應短缺亦可能構成挑戰。玻璃纖維,尤其是 E-glass 以及技術要求更高的 T-glass,是印制電路板和半導體封裝載板結構中的關鍵材料,其中 T-glass 對大尺寸及高復雜度半導體封裝載板是不可或缺的原材料。由於行業對單一核心供應商的高度依賴,導致從去年開始,市場已出現潛在供應瓶頸的跡象。 奧特斯已與客戶合作,提前認證並引入更多供應商,以提升供應鏈的安全性。部分新合作伙伴仍處於產能建設階段,尚無法滿足全部需求。因此,在 2026/27 財年下半年,奧特斯及其同業可能無法完全滿足上調的客戶需求。盡管這可能對產量形成限制,但也可能對半導體封裝載板的價格產生正面影響。 本預測未考慮當前貿易爭端的進一步升級、嚴重的玻璃纖維材料短缺,或美元進一步大幅貶值的情形。管理層將持續密切關注當前復雜的環境,並隨時根據形勢變化作出戰略調整。 奧特斯公司簡介 奧特斯奧地利科技與系統技術股份公司(AT&S – Austria Technologie & Systemtechnik AG)是全球領先的高品質半導體封裝載板與印制電路板制造商,並在移動設備、汽車與航空航天、工業、醫療以及人工智能高性能計算等核心領域開發前沿互連技術。 公司在奧地利(萊奧本、費爾靈)、中國(上海、重慶)、馬來西亞(居林)、印度(南賈恩古德)設有生產基地,並在奧地利萊奧本設有歐洲研發與 IC 載板技術中心。通過前瞻性研發投入與負責任的資源利用,奧特斯積極推動數字化轉型。 奧特斯全球員工約為13,000人,更多信息請訪問 www.ats.net。

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新唐科技發佈高功率紫外光雷射二極體(379 nm, 1.0 W)

日本京都2026年1月22日 /美通社/ -- Nuvoton Technology Corporation Japan(以下簡稱「NTCJ」)於1月20日宣佈,開始量產其高功率紫外光半導體雷射二極體(379 nm, 1.0 W)。該產品採用直徑9.0 mm的CAN封裝(TO-9),可實現行業領先(*)的光功率輸出。透過NTCJ專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術,該產品實現了短波長、高功率和長壽命這三個先前被認為難以達成的紫外半導體雷射元素,有助於提升先進半導體封裝無掩模光刻的圖形化精密度和生產效率。 (*)截至2026年1月16日,基於NTCJ對波長為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續波(CW)運行的半導體雷射的研究。 主視覺圖:https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI1fl_x5FsfwAW.jpg 圖片:https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202601072090/_prw_PI2fl_038KkhpF.jpg 隨著人工智能(AI)的發展推動信息處理能力需求增長,對半導體性能的要求較以往也在不斷提高。另一方面,隨著電晶體微縮化發展接近其物理和經濟極限,半導體後端封裝技術和先進半導體封裝技術(通過並排排列或垂直堆疊多個半導體晶片的集成方案)正引起關注。 這些封裝技術的演進,離不開無掩膜曝光技術的支持。作為無掩模光刻技術中的關鍵光源之一,半導體雷射面臨著向更短波長(接近i線365 nm)和更高輸出功率發展的不斷增長的需求,以實現更精細的線路和提高設備產能。為滿足這些要求,NTCJ憑藉40多年的雷射設計和製造經驗,開發並商業化了波長為379 nm、輸出功率達1.0 W的紫外光半導體雷射。 紫外光半導體雷射通常存在由於低光電轉換效率(WPE)引起的顯著熱量產生問題,以及由紫外光引起的器件退化傾向,這使得在1.0 W以上的高輸出水準下實現穩定運行變得困難。為解決這一問題,NTCJ採取了雙管齊下的方法,同時專注於「提高WPE的器件結構」和「有效散熱的高熱傳導封裝技術」,成功開發出一款兼具短波長、高功率和長壽命的產品:1.0 W紫外線(379 nm)器件。這有助於延長紫外光光學器件的壽命。 該產品作為NTCJ的「基於半導體雷射的汞燈替代產品」系列的新成員,為客戶提供了新的選擇。 NTCJ將在美國三藩市舉行的SPIE Photonics West 2026展會以及日本橫濱舉辦的OPIE'26展會的展台上展示這款新產品的詳細資訊。NTCJ誠摯期待您的蒞臨。 產品詳情,請瀏覽:https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0172 關於Nuvoton Technology Corporation Japan:https://www.nuvoton.co.jp/en/ SPIE Photonics West 2026新唐展位網頁:https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5022&ExhibitorID=105454 OPIE(國際光學與光電技術展覽會):https://www.opie.jp/en/

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2026 年 3 月 6 日 (星期五) 農曆正月十八日
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