力拚2027年量產2奈米　日本重押Rapidus　追加9.4億美元投資

重點摘要：

1. 日本再砸1,500億日圓：政府擬於2027年度預算追加投資Rapidus，藉增資提高銀行放款意願。
2. 5兆日圓決戰2奈米：Rapidus仍需約5兆日圓完成先進廠建設及量產，目標2027年正式量產。
3. 技術已進入關鍵階段：北海道千歲試產線已運作，2025年完成2奈米GAA原型驗證，但客戶與量產良率仍是最大挑戰。

【新聞中心／綜合外電】

追加資本　為銀行融資鋪路

日本政府持續加碼先進半導體戰略。日本經濟產業省據悉將在2027年度預算中爭取約1,500億日圓（約9.4億美元），進一步投資國家扶植的先進晶片製造商Rapidus，藉由提高資本額，降低金融機構放款風險，為公司後續取得大規模融資創造條件。

Rapidus為完成先進製程廠房建設與進入量產階段，預估仍需要約5兆日圓資金，其中約2兆日圓可望透過銀行貸款籌措。日本三大銀行等金融機構先前已表達提供融資的意向，政府增資因此不只是單純的產業補助，更具有「以公部門資本撬動民間融資」的政策意義。

2022年成立　肩負日本重返先進製程使命

Rapidus成立於2022年，由Toyota、Sony、SoftBank、NTT、Kioxia、Denso、NEC及MUFG等日本企業共同出資，目標是重新建立日本在先進邏輯晶片製造領域的競爭力。日本過去曾是全球半導體強國，但在晶圓代工與先進邏輯製程競爭中逐漸落後台灣、韓國與美國。

Rapidus選擇直接挑戰2奈米及更先進製程，並與IBM合作開發2奈米GAA技術，同時與比利時imec進行先進製程研究合作。日本政府則從研發、設備到工廠建設持續投入資源，試圖將Rapidus打造為日本半導體產業重新崛起的核心平台。

北海道廠進入試產　2奈米技術已有突破

Rapidus目前最大的製造基地位於北海道千歲市，IIM-1廠於2023年動工，2025年4月啟動試產線。日本首部適用量產的EUV極紫外光微影設備也已於2024年12月進駐，為2奈米GAA製程建立關鍵設備基礎。

2025年7月，Rapidus宣布在IIM-1成功展示2奈米GAA電晶體，並確認其電氣特性達到預期水準。公司表示，這代表技術已從研究開發階段進一步邁向量產準備。

Rapidus目前的目標仍是2027年開始量產2奈米邏輯半導體，並以縮短晶片設計、晶圓製造及先進封裝週期為主要競爭特色。公司希望建立不同於傳統大型晶圓代工廠的「高混合、低批量、快速交付」製造模式，以吸引AI、高效能運算等新興應用客戶。

日本政府加碼　但商業化仍是最大考驗

今年2月，Rapidus完成2,676億日圓的新一輪募資，包括日本政府透過資訊處理推進機構（IPA）投入1,000億日圓，以及32家民間企業合計1,676億日圓；6月政府再追加1,500億日圓，使公司資本規模進一步提高。Rapidus表示，這些資金將協助公司從研發階段邁向2027年的2奈米量產。

日本政府的支持力度也持續擴大。經產省今年4月再核准6,315億日圓追加支援，使Rapidus累計研發補助達到約2.35兆日圓。

然而，資金之外，Rapidus仍面臨客戶、良率、產能利用率及量產成本等考驗。產業分析指出，Rapidus已完成2奈米原型與試產線建設，但能否在2027年取得足夠的量產客戶，才是決定這項日本半導體復興計畫能否真正商業化的關鍵。

從日本政府的最新資本布局來看，Rapidus已不再只是單一企業的創業計畫，而逐漸成為日本經濟安全與半導體產業政策的重要支柱。未來若能成功取得銀行融資並完成5兆日圓級別的投資，Rapidus將正式進入與台積電、三星及英特爾等全球先進製程業者競逐的舞台；反之，龐大資金需求與量產風險，也將成為日本政府必須承擔的政策成本。

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