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GlobalFoundries和 Microchip 宣佈Microchip 28奈米SuperFlash® 嵌入式快閃記憶體 解決方案開始量產

文章來源 : APR 發表時間 : 瀏覽次數 : 6893 加入收藏 :
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GlobalFoundriesMicrochip Technology Inc.及其旗下子公司冠捷半導體SST)今日宣佈,採用 GF 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。

 

在實施SST應用廣泛的ESF3 SuperFlash技術方面,GlobalFoundries確立了新的行業基準。該實施方案具有以下功能和優勢:

·         成本最低的28奈米HKMG ESF3解決方案,僅增加了10個遮罩(mask),包括真正的5V IO CMOS元件

·         SST ESF3 位元單元尺寸僅為 0.04 平方微米,極具競爭力

·         工作溫度額定值為-40°C125°C

·         讀取存取時間為次25奈秒 (ns) 、程式設計時間為10微秒和抹除時間為4毫秒

·         超過100,000次程式設計/抹除迴圈的耐用性

·         不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程(EG 流程)

·         可立即提供4Mb32Mb 的現成巨集程式

·         可從SSTGF獲得客製化設計支援

 

隨著邊緣智慧化水準的不斷提高,嵌入式快閃記憶體的應用也呈爆炸式增長。在家庭和工業物聯網以及智慧行動設備的廣泛應用中,用於安全程式碼儲存、OTA更新和增強功能的嵌入式記憶體正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平臺。

 

GlobalFoundries業務長Mike Hogan表示:「GlobalFoundries很榮幸能與SST合作,在我們強大的28SLPe平臺上開發、認證並投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。GlobalFoundries的客戶發現,這款解決方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身,非常適合先進的MCU、複雜的智慧卡以及面向消費和工業產品的物聯網晶片。」

 

Microchip 授權業務部門和SST副總裁Mark Reiten表示:「過去十年,SSTGlobalFoundries緊密合作,將SST的行業標準ESF1ESF3 嵌入式快閃記憶體技術整合到GlobalFoundries130奈米BCD55 奈米、40 奈米以及當前的28 奈米製程平臺並實現產品化。我們欽佩GlobalFoundries在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位,期待雙方的緊密合作關係在未來十年帶來更多突破。」

 

在今天於慕尼黑舉行的GlobalFoundries GTS峰會期間,SSTIP合作夥伴區展出其嵌入式快閃記憶體技術。

 

GlobalFoundriesESF1 ESF3平臺解決方案感興趣的客戶,可參閱GlobalFoundries網站 www.gf.com/technology-platforms ,也可透過www.gf.com/about-us/contact-us與公司聯繫瞭解更多資訊。

  

SSTESF1ESF3 SuperFlash®技術 memBrain™神經形態記憶體解決方案IP產品感興趣的客戶,請聯繫info@sst.comSST網站上列出的相應區域連絡人。

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2025 年 2 月 20 日 (星期四) 農曆正月廿三日
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