海韻電子採用Transphorm GaN推出最新1.6 kW高效率平台,可廣泛應用於各類電源產品 此一高效率PFC平台能為電池充電器,PC,伺服器和遊戲電源的PFC功率級帶來99%的效率

文章來源:Interfax News Service Limited   發表時間:2018/06/12 瀏覽次數:294

加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm Inc. — 擁有業界最高可靠性並率先獲得JEDEC和AEC-Q101認證的氮化鎵(GaN)半導體設計和製造的領導者 - 今天宣布,Seasonic Electronics Co.(海韻電子)在其新發表的1600瓦(W)無橋圖騰柱 ( Totem – Pole )功率因數校正(PFC)平台上使用Transphorm's的高壓(HV)GaN FET, 命名為1600T。迄今為止,1600T是目前電源製造商中性能最佳的PFC平台,效率高達99%。值得注意的是,與海韻電子先前採用之矽 ( Si ) 平台相比,採用GaN的平台提升了百分之二 ( 2% )的效率和提升了百分之二十 ( 20% ) 的功率密度。

此1600T平台將被授評比並建置於有關充電器(電動摩托車,工業等),電競,伺服器和PC電源市場的各類產品中。

“在研究能夠使我們達到世界領先效率水準的半導體技術時,氮化鎵成為比矽更有吸引

力的選擇方案。”:Seasonic研發總監Paul Lin說明“我們知道無橋圖騰柱PFC是第一個我們該使用高電壓GaN電源平台的拓撲。所以,我們需要出色的功率半導體廠商,其能夠成功的被採用於該拓撲。更重要的是,我們需要一個可以支援符合我們標準保固期的GaN解決方案。有鑒於Transphorm已經通過產品的性能和可靠性的驗證,能夠滿足我們這些要求,最終我們在1600T採用Transphorm’s GaN FETs。“

最信賴的選擇:Transphorm Q + R

此1600T平台所使用之Transphorm的TP65H035WS器件,為採用標準TO-247封裝的650 V GaN FET,RDS(on)為35mΩ。該器件在硬切換和軟切換開關電路中實現了更高的效率,為電源系統工程師在於設計產品時提供了選擇。此外,TP65H035WS能使用於常用的閘極驅動器,可在控製成本的同時簡化設計。

在開發GaN的FET時,Transphorm首重質量和可靠性(Q + R)。首要任務為帶給設計者更高的安全性 ; 與其它現有的GaN FET相比,Transphorm GaN可提供較佳的電壓耐受餘量和雜訊抑制能力。 TP65H035WS標準的閘極門檻電壓為4 V,閘極最大耐壓為±20 V.

除了產品技術本身之外,Transphorm提供客戶端深入的應用支援,並在GaN應用於相對新穎的高壓設計時提供了實用的資訊。 Seasonic利用半導體界專家提供的服務來優化其設計,同時縮短上市時間。

舉例來說,提供的設計建議幫助Seasonic的團隊利用簡單,低成本的數位信號處理器(DSP)來控制圖騰柱PFC。 Transphorm亦幫助在於有關零件選擇和系統佈局,確保GaN的最佳性能。最終,共同開發對於Seasonic的平台有效提升了散熱以及效率,同時增加功率的輸出效能 – 產出能夠實現Seasonic願景的HV GaN平台。

關於海韻電子

海韻電子是一家全球布局的公司。總部位於台灣台北,我們將我們的產品從我們在中國大陸的工廠出口到我們在美國,歐洲,日本以及世界其他地區的辦事處。作為創新領域的領導者,公司主要的重點是為所有需求尖端功能並結合市場領先性能及完整可靠性之客戶帶來最有價值的新技術。 IT行業的強勁競爭持續給我們帶來挑戰,這增強了我們成為最佳並保持最佳狀態的決心。今天,海韻的品牌就相當於高性能,卓越和可靠性。我們的設計和工程團隊熱衷於創建新的解決方案,以回應客戶的需求並結合到最新的市場趨勢。

歡迎體驗 GaN 的創新!

Transphorm 設計、製造並銷售用於高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm 擁有全球最多的 Power GaN IP (全球超過1000 多個已發佈和審核中專利),生產業界唯一獲得 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的 GaN FET。這來自於在每個階段進行創新的垂直整合業務方式:材料和元件設計、製造、線路整合、封裝、參考電路設計和應用支援。Transphorm:讓電力電子應用超越矽的極限。網站:www.transphormusazn.com Twitter : @transphormusa

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