東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新一代600V平面MOSFET系列 - π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音優點 -

文章來源:Interfax News Service Limited   發表時間:2018/01/11 瀏覽次數:399

--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——π-MOS IX。量產即日啟動。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20180109006889/en/

π-MOS IX系列採用經最佳化的晶片設計,與現有的π-MOS VII系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],同時保持了相同水準的效率。該產品提供更大的設計自由度,因此有助於減小設計工作量。此外,π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕鬆取代現有的MOSFET。

東芝電子元件及儲存裝置株式會社將推出更多600V元件以及500V和650V元件,以擴大其π-MOS IX系列的產品陣容。

應用場合

  • 筆記型電腦AC變壓器和遊戲機充電器的中小型開關電源
  • 照明電源

特點

  • 兼具高效率和低噪音優點
  • 額定雪崩電流和額定直流電流相等

 

主要規格

產品型號

 

封裝

 

絕對最大
額定值

 

RDS(ON)
最大值(Ω)
VGS=10V

 

Qg
典型值
(nC)

 

Ciss
典型值
(pF)

 

當前一代
(π-MOS VII系列)
產品型號

   

VDSS(V)

 

ID(A)

       

TK650A60F

 

TO-220SIS

 

600

 

11

 

0.65

 

34

 

1320

 

TK11A60D

TK750A60F

 

TO-220SIS

 

600

 

10

 

0.75

 

30

 

1130

 

TK10A60D

TK1K2A60F

 

TO-220SIS

 

600

 

6

 

1.2

 

20.5

 

740

 

TK6A60D(1.25Ω)

TK1K9A60F

 

TO-220SIS

 

600

 

3.7

 

1.9

 

14

 

490

 

TK4A60DB(2.0Ω)

 

註:
[1] TK10A60D與TK750A60F相比較(200MHz地區的65W筆記型電腦配接器)

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東芝電子元件及儲存裝置株式會社:600V平面MOSFET新系列π-MOS IX(照片:美國商業資訊)

東芝電子元件及儲存裝置株式會社:600V平面MOSFET新系列π-MOS IX(照片:美國商業資訊)